对比图
描述 N沟道600V - 20A - TO- 220中频的PowerMESH IGBT N-channel 600V - 20A - TO-220 Medium frequency PowerMESH IGBTTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 125000mW 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
耗散功率 130000 mW 125000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V
额定功率(Max) 130 W 130 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 130000 mW 125000 mW
反向恢复时间 - 31 ns
封装 TO-220-3 TO-220-3
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)