MMBT2907A和MMBT2907ALT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT2907A MMBT2907ALT1G MMBT2907

描述 ON Semiconductor MMBT2907A , PNP 晶体管, 800mA, Vce=60 V, HFE:50, 3引脚 SOT-23封装ON SEMICONDUCTOR  MMBT2907ALT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -60 V, 200 MHz, 225 mW, -600 mA, 200 hFE单晶体管 双极, PNP, 40 V, 350 mW, 800 mA, 300 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 200 MHz 200 MHz -

额定电压(DC) - -60.0 V -

额定电流 - -600 mA -

额定功率 - 300 mW -

针脚数 3 3 3

极性 - PNP -

耗散功率 0.35 W 225 mW 350 mW

输入电容 30 pF 30 pF -

上升时间 40 ns 40 ns -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 40 V

集电极最大允许电流 - 0.6A -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 350 mW 300 mW 350 mW

直流电流增益(hFE) 300 200 300

下降时间 30 ns 30 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 350 mW 300 mW 350 mW

长度 - 3.04 mm -

宽度 - 1.3 mm -

高度 - 0.94 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -

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