对比图
型号 SI7288DP-T1-GE3 SI7958DP-T1-GE3 SI7958DP-T1-E3
描述 N 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 7.2A 8Pin PowerPAK SO T/RTrans MOSFET N-CH 40V 7.2A 8Pin PowerPAK SO T/R
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 8 8 8
封装 - SOIC -
安装方式 Surface Mount - -
漏源极电阻 0.0156 Ω 0.02 Ω 0.013 Ω
极性 Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 15.6 W 1.4 W 1.4 W
阈值电压 2.8 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) - 11.3 A 11.3 A
上升时间 14 ns 17 ns 17 ns
下降时间 10 ns 17 ns 17 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
输入电容(Ciss) 565pF @20V(Vds) - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 15.6 W - -
封装 - SOIC -
长度 5.99 mm - -
宽度 5 mm - -
高度 1.07 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
包装方式 Tape & Reel (TR) - -