BD682S和BD682T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD682S BD682T

描述 Trans Darlington PNP 100V 4A 14000mW 3Pin(3+Tab) TO-126 Bag塑料中功率硅PNP达林顿 Plastic Medium−Power Silicon PNP Darlingtons

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-126-3 TO-126-3

额定电压(DC) - -100 V

额定电流 - -4.00 A

极性 - PNP

耗散功率 14 W 40 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V

集电极最大允许电流 - 4A

最小电流放大倍数(hFE) 750 @1.5A, 3V 750 @1.5A, 3V

额定功率(Max) 14 W 40 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 14000 mW -

长度 - 7.74 mm

宽度 - 2.66 mm

高度 - 11.04 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Bag Tube

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead

ECCN代码 EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台