对比图
型号 FDS7079ZN3 FDS7779Z FDMS6681Z
描述 30伏P沟道PowerTrench MOSFET 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET30伏P沟道PowerTrench MOSFET 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFETFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS6681Z 晶体管, MOSFET, P沟道, -49 A, -30 V, 0.0027 ohm, -10 V, -1.7 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SO-8 Power-56-8
额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -
额定电流 -16.0 A -16.0 A -
通道数 - 1 -
漏源极电阻 7.50 mΩ 7.2 mΩ 0.0027 Ω
极性 P-Channel P-Channel P-Channel
耗散功率 3.13 W 2.5 W 73 W
输入电容 - 3.80 nF -
栅电荷 - 70.0 nC -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - 30 V -
栅源击穿电压 ±25.0 V ±25.0 V -
连续漏极电流(Ids) -16.0 A 16.0 A 21.1A
上升时间 20 ns 9 ns 38 ns
输入电容(Ciss) 3630pF @15V(Vds) 3800pF @15V(Vds) 10380pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 1.5 W 1 W 2.5 W
下降时间 98 ns 55 ns 197 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.13W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta), 73W (Tc)
针脚数 - - 8
长度 4.9 mm 4.9 mm 5 mm
宽度 3.9 mm 3.9 mm 6 mm
高度 1.75 mm 1.75 mm 1.05 mm
封装 SOIC-8 SO-8 Power-56-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - -