MMBTA92和SMMBTA92LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBTA92 SMMBTA92LT1G MMBTA92LT1G

描述 高压晶体管PNP硅 High Voltage Transistors PNP SiliconON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR  MMBTA92LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -300 V, 50 MHz, 300 mW, -500 mA, 50 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 50 MHz 50 MHz 50 MHz

针脚数 3 3 3

极性 - PNP PNP, P-Channel

耗散功率 350 mW 225 mW 300 mW

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 300 V

集电极最大允许电流 - 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 25 @30mA, 10V 25 @30mA, 10V 25 @30mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) - 25 @30mA, 10V -

额定功率(Max) 350 mW 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) 25 25 25

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350 mW 225 mW 300 mW

额定电压(DC) - - -300 V

额定电流 - - -500 mA

长度 2.92 mm 3.04 mm 2.9 mm

宽度 1.3 mm 2.64 mm 1.3 mm

高度 0.93 mm 1.11 mm 0.94 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR

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