TLC277IDR和TLC277IDRG4

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC277IDR TLC277IDRG4 TS27M2IDT

描述 LinCMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas Instruments路LinCMOS精密双运算放大器 LinCMOS PRECISION DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSSTMICROELECTRONICS  TS27M2IDT  运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 16V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 1.4 mA 1.4 mA 150 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 725 mW 0.725 W -

共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 1.80 µV/K 1.80 µV/K -

带宽 1.7 MHz 1.70 MHz 1 MHz

转换速率 3.60 V/μs 3.60 V/μs 600 mV/μs

增益频宽积 1.7 MHz 2.2 MHz 1 MHz

输入补偿电压 250 µV 250 µV 1.1 mV

输入偏置电流 0.7 pA 0.7 pA 1 pA

输出电流 ≤30 mA - 60 mA

针脚数 8 - 8

工作温度(Max) 85 ℃ - 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

增益带宽 1.7 MHz - 1 MHz

共模抑制比(Min) 65 dB - 65 dB

电源电压 4V ~ 16V - 3V ~ 16V

电源电压(Max) 16 V - 16 V

电源电压(Min) 4 V - 3 V

耗散功率(Max) 725 mW - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.9 mm

高度 1.58 mm - 1.25 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

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