对比图
型号 BSM100GB170DLC BSM100GB170DN2 BSM200GB170DL
描述 Trans IGBT Module N-CH 1700V 200A 960000mW 7Pin 62MM TrayIGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module (Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate)Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel,
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Eupec
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
封装 62MM Half Bridge2 -
安装方式 Screw - -
耗散功率 - 1 kW -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -40 ℃ -
长度 - 106.4 mm -
宽度 - 61.4 mm -
高度 - 30 mm -
封装 62MM Half Bridge2 -
产品生命周期 Not Recommended Obsolete Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free Lead Free -