BSM100GB170DN2参数规格_中文资料_数据手册PDF

BSM100GB170DN2概述

IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate

• Half-bridge

• Including fast free-wheeling diodes

• Package with insulated metal base plate

• RG on,min = 15 Ohm

贸泽:
IGBT 模块 1700V 100A DUAL

BSM100GB170DN2中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1 kW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

封装 Half Bridge2

外形尺寸

长度 106.4 mm

宽度 61.4 mm

高度 30 mm

封装 Half Bridge2

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSM100GB170DN2

型号： BSM100GB170DN2

制造商： Infineon 英飞凌

描述：IGBT功率模块（半桥包括快速续流二极管封装用绝缘金属基板） IGBT Power Module Half-bridge Including fast free-wheeling diodes Package with insulated metal base plate

替代型号BSM100GB170DN2