SPA15N60C3和STF15NM60ND

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPA15N60C3 STF15NM60ND FCPF260N60E

描述 INFINEON  SPA15N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 650 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 VN 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCPF260N60E  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 2.5 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管中高压MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220F-3

额定电压(DC) 650 V - -

额定电流 15.0 A - -

通道数 1 1 -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.25 Ω 0.27 Ω 0.22 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 34 W 30 W 36 W

阈值电压 3 V 4 V 2.5 V

输入电容 1.66 nF - -

栅电荷 63.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V - -

连续漏极电流(Ids) 15.0 A - 15A

上升时间 5 ns 20 ns 11 ns

输入电容(Ciss) 1660pF @25V(Vds) 1250pF @50V(Vds) 2500pF @25V(Vds)

下降时间 5 ns 28 ns 13 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 34 W 30W (Tc) 36W (Tc)

额定功率(Max) - 30 W 36 W

长度 10.65 mm 10.4 mm 10.36 mm

宽度 4.85 mm 4.6 mm 16.07 mm

高度 9.83 mm 16.4 mm 16.07 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220F-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

香港进出口证 - NLR -

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