IXFH20N60和STW20NM60的区别_IXFH20N60代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH20N60 STW20NM60 HUF76629D3S

描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH20N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 350 mohm, 10 V, 4.5 VSTMICROELECTRONICS STW20NM60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V20A, 100V, 0.055ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管中高压MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-247-3 -

额定电压(DC) 600 V 650 V -

额定电流 20.0 A 20.0 A -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 350 mΩ 0.25 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 300 W 192 W -

阈值电压 4.5 V 4 V -

输入电容 3.30 nF - -

栅电荷 90.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V -

漏源击穿电压 300 V 600 V -

连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20.0 A -

上升时间 43 ns 20 ns -

输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 1500pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 300 W 192 W -

下降时间 40 ns 11 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 300W (Tc) 192W (Tc) -

通道数 - 1 -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

封装 TO-247-3 TO-247-3 -

材质 Silicon - -

重量 6 g - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 - No SVHC -