PDTC144VU和PDTC144VU,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PDTC144VU PDTC144VU,115

描述 低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 Low VCEsat (BISS) transistorsPDTC144V series - NPN配电阻晶体管;R1 = 47 kOhm,R2 = 10 kOhm

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SC-70 SOT-323-3

引脚数 - 3

极性 NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA

耗散功率 - 200 mW

最小电流放大倍数(hFE) - 40 @5mA, 5V

额定功率(Max) - 200 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 200 mW

封装 SC-70 SOT-323-3

高度 - 1 mm

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

工作温度 - -65℃ ~ 150℃

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