对比图
型号 IRLML6302PBF IRLML6302TRPBF-1 TP0101K-T1-E3
描述 INFINEON IRLML6302PBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 600 mA, -20 V, 600 mohm, -4.5 V, -1.5 VSOT-23P-CH 20V 0.78AVISHAY TP0101K-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, -580 mA, -20 V, 420 mohm, -4.5 V, 700 mV
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 3 - 3
封装 SOT-23 SOT-23 TO-236
额定功率 0.54 W - -
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.6 Ω - 420 mΩ
极性 P-CH P-CH P-Channel
耗散功率 400 mW - 350 mW
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 0.78A 0.78A -580 mA
输入电容(Ciss) 97pF @15V(Vds) - -
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -
耗散功率(Max) 540 mW - -
上升时间 - 18 ns -
下降时间 - 22 ns -
阈值电压 - - 700 mV
栅电荷 - - 1.40 nC
栅源击穿电压 - - ±8.00 V
长度 3.05 mm - -
宽度 1.4 mm - -
高度 1.01 mm - -
封装 SOT-23 SOT-23 TO-236
产品生命周期 Active Unknown -
包装方式 - - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -