对比图
型号 2N5087RLRAG MMBT5087LT1G 2N5087G
描述 ON SEMICONDUCTOR 2N5087RLRAG 单晶体管 双极, PNP, -50 V, 40 MHz, 1.5 W, -50 mA, 250 hFEON SEMICONDUCTOR MMBT5087LT1G 单晶体管 双极, 通用, PNP, -50 V, 40 MHz, 225 mW, -50 mA, 40 hFEON SEMICONDUCTOR 2N5087G 单晶体管 双极, 通用, PNP, 50 V, 40 MHz, 625 mW, -50 mA, 40 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-92-3 SOT-23-3 TO-92-3
频率 40 MHz 40 MHz 40 MHz
额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V
额定电流 -50.0 mA -50.0 mA -50.0 mA
针脚数 3 3 3
极性 PNP PNP PNP, P-Channel
耗散功率 1.5 W 225 mW 625 mW
增益频宽积 - - 40 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
热阻 - - 83.3℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流 0.05A 0.05A 0.05A
最小电流放大倍数(hFE) 250 @100µA, 5V 250 @100µA, 5V 250 @100µA, 5V
额定功率(Max) 625 mW 300 mW 625 mW
直流电流增益(hFE) 250 40 40
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 625 mW 300 mW 625 mW
额定功率 - 300 mW -
长度 5.2 mm 3.04 mm 5.2 mm
宽度 4.19 mm 1.3 mm 4.19 mm
高度 5.33 mm 1.01 mm 5.33 mm
封装 TO-92-3 SOT-23-3 TO-92-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2016/06/20 2015/12/17 2016/06/20
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99