BCR112W和BCR135W

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR112W BCR135W BCR141W

描述 NPN硅晶体管数字 NPN Silicon Digital TransistorNPN硅数字晶体管(开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路) NPN Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)BCR141W 带阻NPN三极管 50V 100mA/0.1A 22k 22k SOT-323/SC-70 marking/标记 WD 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-323 SOT-323 SOT-323

额定功率 0.25 W - 0.25 W

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 20 - 50

最大电流放大倍数(hFE) 20 - 50

长度 2.00 mm - 2.00 mm

宽度 1.25 mm - 1.25 mm

高度 0.90 mm - 0.90 mm

封装 SOT-323 SOT-323 SOT-323

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 End of Life End of Life End of Life

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

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