对比图
描述 NPN 25 GHz宽带晶体管 NPN 25 GHz wideband transistorNXP BFG424F,115 晶体管 双极-射频, NPN, 4.5 V, 25 GHz, 135 mW, 30 mA, 80 hFE
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 4
封装 SOT-343 SOT-343
针脚数 - 3
极性 - NPN
耗散功率 - 135 mW
输入电容 - 475 pF
击穿电压(集电极-发射极) - 4.5 V
增益 - 23 dB
最小电流放大倍数(hFE) - 50 @25mA, 2V
额定功率(Max) - 135 mW
直流电流增益(hFE) - 80
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 135 mW
封装 SOT-343 SOT-343
材质 - Silicon
工作温度 - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC