对比图
型号 IXFH32N50 IXFH44N50P STW26NM50
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH32N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 500 V, 150 mohm, 10 V, 4 VIXYS SEMICONDUCTOR IXFH44N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 44 A, 500 V, 140 mohm, 10 V, 5 VSTMICROELECTRONICS STW26NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V
额定电流 32.0 A 44.0 A 30.0 A
通道数 - 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 150 mΩ 0.14 Ω 0.12 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 360 W 650 W 313 W
阈值电压 4 V 5 V 4 V
输入电容 - 5.44 nF -
栅电荷 - 98.0 nC -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - 500 V -
连续漏极电流(Ids) 32.0 A 44.0 A 30.0 A
上升时间 42 ns 29 ns 15 ns
反向恢复时间 - 200 ns -
输入电容(Ciss) 5700pF @25V(Vds) 5440pF @25V(Vds) 3000pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 360 W 650 W 313 W
下降时间 26 ns 27 ns 19 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 360W (Tc) 658W (Tc) 313W (Tc)
额定功率 360 W - -
长度 - 16.26 mm -
宽度 - 5.3 mm -
高度 - 21.46 mm -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2014/06/16
ECCN代码 - - EAR99