对比图
型号 FDS4435A FDS4435BZ_F085 FDS6575
描述 晶体管, MOSFET, P沟道, 9 A, -30 V, 0.017 ohm, -10 V, -1.7 VPowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6575 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -20 V, 0.0085 ohm, -4.5 V, -600 mV
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.017 Ω - 0.0085 Ω
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 20 V
上升时间 15 ns 6 ns 9 ns
输入电容(Ciss) 2010pF @15V(Vds) 1845pF @15V(Vds) 4951pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 1 W 1 W 1.2 W
下降时间 55 ns 12 ns 78 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
极性 - P-CH P-Channel
连续漏极电流(Ids) - 8.8A 10.0 A
额定电压(DC) - - -20.0 V
额定电流 - - -10.0 A
通道数 - - 1
输入电容 - - 4.95 nF
栅电荷 - - 53.0 nC
漏源击穿电压 - - 20 V
栅源击穿电压 - - ±8.00 V
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 4.9 mm 5 mm
宽度 - 3.9 mm 4 mm
高度 - 1.575 mm 1.5 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99