IRFR3709ZPBF和IRLR8726PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR3709ZPBF IRLR8726PBF IRFR3709ZTRPBF

描述 MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON  IRLR8726PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.8 VN沟道,30V,86A,8.2mΩ@4.5V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 79 W 75 W 79 W

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0065 Ω 0.004 Ω 0.0052 Ω

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 79 W 75 W 79 W

阈值电压 1.8 V 1.8 V 1.8 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 86A 86A 86A

上升时间 12 ns 49 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 2330pF @15V(Vds) 2150pF @15V(Vds) 2330pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 79 W 75 W 79 W

下降时间 3.9 ns 16 ns 3.9 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 79W (Tc) 75000 mW 79W (Tc)

通道数 - 1 -

漏源击穿电压 - 30 V -

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.5 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.39 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

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