对比图
型号 IXGH41N60 IXGH56N60A3 STGP8NC60KD
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 76A 20000mW 3Pin(3+Tab) TO-247ADTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 330000mW 3Pin(3+Tab) TO-247ADSTGP8NC60K 系列 N 沟道 600V 8 A 额定短路电流 PowerMESH IGBT - TO-220
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
耗散功率 20000 mW 330000 mW 65 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
额定功率(Max) 200 W 330 W 65 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 20000 mW 330 W 65000 mW
针脚数 - - 3
反向恢复时间 - - 23.5 ns
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
长度 16.26 mm - -
宽度 5.3 mm - -
高度 21.46 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99