BD13910S和BD139G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD13910S BD139G BD139-10

描述 BD139 系列 80 V 1.5 A NPN 外延硅晶体管 - TO-126PNP 晶体管,超过 1A,ON Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管STMICROELECTRONICS  BD139-10  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 1.25 W, 1.5 A, 40 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V -

额定电流 1.50 A 1.50 A -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.25 W 1.25 W 1.25 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A -

最小电流放大倍数(hFE) 63 @150mA, 2V 25 40 @150mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) 160 - -

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1.25 W 1250 mW 1250 mW

针脚数 - 3 3

直流电流增益(hFE) - 40 40

长度 8 mm 7.74 mm 7.8 mm

宽度 3.25 mm 2.66 mm 2.7 mm

高度 1.5 mm 11.04 mm 10.8 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bulk Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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