FDB6035AL_NL和ISL9N310AS3ST

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDB6035AL_NL ISL9N310AS3ST FDB6035AL

描述 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETN沟道逻辑电平PWM优化UltraFET沟道功率MOSFET N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETsN沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 TO-263 TO-252-3 TO-263

安装方式 - - Surface Mount

极性 N-CH N-Channel N-Channel

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 48A 62.0 A 48.0 A

漏源极电阻 - 15.0 mΩ 12.5 mΩ

耗散功率 - 70 W 58.0 W

漏源击穿电压 - 30.0 V 30.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V ±20.0 V

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

额定电压(DC) - - 30.0 V

封装 TO-263 TO-252-3 TO-263

长度 - 6.73 mm -

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.39 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台