IRF3315PBF和RF3315

对比图

型号 IRF3315PBF RF3315 IRF3315

描述 INFINEON  IRF3315PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 150 V, 70 mohm, 10 V, 4 VPower Field-Effect Transistor, 23A I(D), 150V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3TO-220AB N-CH 150V 27A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole - Through Hole

封装 TO-220-3 - TO-220-3

引脚数 3 - -

极性 N-Channel - N-CH

耗散功率 94 W - 136W (Tc)

漏源极电压(Vds) 150 V - 150 V

连续漏极电流(Ids) 23A - 27A

输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) - 1300pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 94W (Tc) - 136W (Tc)

额定功率 94 W - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.07 Ω - -

阈值电压 4 V - -

输入电容 1300 pF - -

漏源击穿电压 150 V - -

上升时间 32 ns - -

热阻 1.6℃/W (RθJC) - -

额定功率(Max) 94 W - -

下降时间 38 ns - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-220-3 - TO-220-3

长度 10.54 mm - -

宽度 4.69 mm - -

高度 8.77 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -