IRF8327STR1PBF和IRF8327STRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF8327STR1PBF IRF8327STRPBF

描述 Direct-FET N-CH 30V 14ADirect-FET N-CH 30V 14A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 Direct-FET Direct-FET

通道数 - 1

漏源极电阻 - 10.9 mΩ

极性 N-CH N-CH

耗散功率 2.2W (Ta), 42W (Tc) 42 W

输入电容 - 1430 pF

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

漏源击穿电压 - 30 V

连续漏极电流(Ids) 14A 14A

上升时间 8.9 ns 8.9 ns

输入电容(Ciss) 1430pF @15V(Vds) 1430pF @15V(Vds)

下降时间 5.3 ns 5.3 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 2.2W (Ta), 42W (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc)

长度 - 3 mm

宽度 - 3 mm

高度 - 1.11 mm

封装 Direct-FET Direct-FET

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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