LMV342ID和LMV342IDR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LMV342ID LMV342IDR TSV852AIDT

描述 轨到轨输出CMOS运算放大器,带有关断 RAIL-TO-RAIL OUTPUT CMOS OPERATIONAL AMPLIFIERS WITH SHUTDOWNCMOS 运算放大器,LMV/TLV 系列### 运算放大器,Texas InstrumentsTSV85x、TSV85xA、低功率、高精度、通用运算放大器TSV850、TSV851(单)、TSV852、TSV853(双)和 TSV854、TSV855(四路)运算放大器可提供低电压操作,带轨对轨输出摆幅。低功耗:最大 180 μA (5 V) 关闭模式:最大 50 nA,仅适合 TSV850(A)、TSV853(A)、TSV855(A) 低偏置电压:最大 0.8 mV (25°C) 扩展温度范围:-40°C 至 125°C 电源操作范围 2.3 V 至 5.5 V 益带宽产品:1.3 MHz 汽车资格 ### 运算放大器,STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 107 µA 107 µA 130 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

共模抑制比 56 dB 56 dB 72 dB

输入补偿漂移 1.90 µV/K 1.90 µV/K -

带宽 1.00 MHz 1 MHz 1.3 MHz

转换速率 1.00 V/μs 1.00 V/μs 700 mV/μs

增益频宽积 1 MHz 1 MHz 1.3 MHz

输入补偿电压 250 µV 250 µV 800 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 27 nA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 1 MHz 1 MHz 1.3 MHz

共模抑制比(Min) 56 dB 56 dB 72 dB

电源电压 2.5V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V 2.5V ~ 5.5V

针脚数 - 8 -

输出电流 - - 70mA @5V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm 5 mm

宽度 - 3.91 mm 4 mm

高度 - 1.58 mm 1.65 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 - - EAR99

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