对比图
型号 F6-20 FQB7N20TM IRF620SPBF
描述 5A, 200V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220ABTrans MOSFET N-CH 200V 6.6A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RPower Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 200V, 0.8Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, LEAD FREE, TO-263, 3Pin
数据手册 ---
制造商 Motorola (摩托罗拉) Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Intertechnology
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount -
封装 - TO-263-3 D2PAK
额定电压(DC) - 200 V -
额定电流 - 6.60 A -
极性 - N-CH -
耗散功率 - 3.13W (Ta), 63W (Tc) -
漏源极电压(Vds) - 200 V -
连续漏极电流(Ids) - 6.60 A -
输入电容(Ciss) - 400pF @25V(Vds) -
耗散功率(Max) - 3.13W (Ta), 63W (Tc) -
封装 - TO-263-3 D2PAK
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 - Tape -
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free