BD239C和BD239CTU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD239C BD239CTU

描述 STMICROELECTRONICS  BD239C  单晶体管 双极, NPN, 100 V, 2 W, 2 A, 40 hFEON Semiconductor BD239CTU , NPN 晶体管, 2 A, Vce=115 V, HFE:15, 3引脚 TO-220封装

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

频率 3 MHz -

针脚数 3 -

极性 NPN -

耗散功率 2 W 30 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 15 @1A, 4V 15 @1A, 4V

额定功率(Max) 2 W 30 W

直流电流增益(hFE) 40 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 30 W

额定电压(DC) - -

额定电流 - -

长度 10.4 mm 9.9 mm

宽度 4.6 mm 4.5 mm

高度 9.15 mm 15.7 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 - -

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