对比图
型号 FDP16AN08A0 STP5NK100Z PHP29N08T,127
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS STP5NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 VTO-220AB N-CH 75V 27A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 75.0 V 1.00 kV -
额定电流 58.0 A 3.50 A -
漏源极电阻 13.0 mΩ 3.7 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 135 W 125 W 88 W
输入电容 1.86 nF - -
栅电荷 28.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 75 V 1 kV 75 V
漏源击穿电压 75.0 V 1.00 kV -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 58.0 A 3.50 A 27A
上升时间 82 ns 7.7 ns -
输入电容(Ciss) 1857pF @25V(Vds) 1154pF @25V(Vds) 810pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 135 W 125 W 88 W
下降时间 30 ns 19 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 135W (Tc) 125W (Tc) 88W (Tc)
额定功率 - 125 W -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 3.75 V -
长度 10.67 mm 10.4 mm -
宽度 4.83 mm 4.6 mm -
高度 9.4 mm 9.15 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -