KSD261CGTA和KSD261GTA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSD261CGTA KSD261GTA

描述 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor低频功率放大器 Low Frequency Power Amplifier

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-92-3 TO-92-3

额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V

额定电流 500 mA 500 mA

极性 NPN NPN

耗散功率 500 mW 0.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 20 V 20 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 120 120

最大电流放大倍数(hFE) 400 400

额定功率(Max) 500 mW 500 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 500 mW -

长度 4.7 mm 4.58 mm

宽度 3.93 mm 3.86 mm

高度 5.33 mm 4.58 mm

封装 TO-92-3 TO-92-3

材质 Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tape Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

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