对比图
型号 STP14NF10 STP80NF10 FQP13N10
描述 N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP13N10 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.8 A, 100 V, 0.142 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 15.0 A 80.0 A 12.8 A
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 60 W 300 W 65 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 15.0 A 80.0 A 12.8 A
上升时间 25 ns 80 ns 55 ns
输入电容(Ciss) 460pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 450pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 60 W 300 W 65 W
下降时间 8 ns 60 ns 25 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 60W (Tc) 300W (Tc) 65W (Tc)
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.012 Ω 0.142 Ω
阈值电压 - 3 V 4 V
漏源击穿电压 - 100 V 100 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V ±25.0 V
额定功率 - 300 W -
通道数 - 1 -
输入电容 - 5500 pF -
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.1 mm
宽度 4.6 mm 4.6 mm 4.7 mm
高度 9.15 mm 9.15 mm 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99