对比图
描述 的OptiMOS 2功率三极管 OptiMOS 2 Power-Transistor的OptiMOS 2功率三极管 OptiMOS 2 Power-Transistor
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 TO-262-3 TO-220-3
额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V
额定电流 80.0 A 80.0 A
通道数 - 1
漏源极电阻 - 4.4 mΩ
极性 N-CH N-CH
耗散功率 150 W 150 W
漏源极电压(Vds) 25 V 25 V
漏源击穿电压 - 25 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80A
上升时间 8.5 ns 8.5 ns
输入电容(Ciss) 7027pF @15V(Vds) 7027pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - 150 W
下降时间 7.5 ns 7.5 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc)
输入电容 7.03 nF -
栅电荷 57.0 nC -
长度 10.2 mm 10 mm
宽度 4.5 mm 4.4 mm
高度 9.45 mm 15.65 mm
封装 TO-262-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free