IXGH24N60BU1和IXGH28N60B3D1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXGH24N60BU1 IXGH28N60B3D1 IRG4PH50UPBF

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 150000mW 3Pin(3+Tab) TO-247ADTrans IGBT Chip N-CH 600V 66A 190000mW 3Pin(3+Tab) TO-247INFINEON  IRG4PH50UPBF  单晶体管, IGBT, 45 A, 3.7 V, 200 W, 1.2 kV, TO-247AC, 3 引脚

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 1200 V

反向恢复时间 50 ns 25 ns -

额定功率(Max) 150 W 190 W 200 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150000 mW 190 W 200000 mW

耗散功率 150000 mW - 200 W

额定功率 - - 200 W

针脚数 - - 3

极性 - - N-Channel

输入电容 - - 3600 pF

上升时间 - - 15.0 ns

热阻 - - 40 ℃/W

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

高度 21.46 mm - 20.3 mm

长度 - - 15.9 mm

宽度 - - 5.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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