DS1250Y-100IND和DS1250Y-70IND+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1250Y-100IND DS1250Y-70IND+ DS1250Y-100IND+

描述 IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIPMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1250Y-70IND+  芯片, 存储器, NVRAMIC NVSRAM 4Mbit 100NS 32DIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 32

封装 DIP-32 EDIP-32 DIP-32

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 100 GHz 70.0 GHz 100 GHz

存取时间 100 ns 70 ns 100 ns

内存容量 4000000 B 500000 B 4000000 B

电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

针脚数 - 32 -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

电源电压(Max) - 5.5 V -

电源电压(Min) - 4.5 V -

封装 DIP-32 EDIP-32 DIP-32

长度 - 44.2 mm -

宽度 - 18.8 mm -

高度 - 10.92 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube, Rail Tube Tube, Rail

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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