对比图
型号 IXFH12N90 STW12NK90Z IRFPF50PBF
描述 TO-247AD N-CH 900V 12ASTMICROELECTRONICS STW12NK90Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 900 V 900 V 900 V
额定电流 12.0 A 11.0 A 6.70 A
额定功率 - 230 W 190 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 1.1 Ω 0.72 Ω 1.6 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 230 W 190 W
阈值电压 - 3.75 V 4 V
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V
漏源击穿电压 900 V 900 V 900 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 11.0 A 6.70 A
上升时间 12 ns 20 ns 34 ns
输入电容(Ciss) 4200pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 230 W 190 W
下降时间 18 ns 55 ns 37 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 230W (Tc) 190 W
通道数 1 - -
长度 16.26 mm 15.75 mm 15.87 mm
宽度 5.3 mm 5.15 mm 5.31 mm
高度 21.46 mm 20.15 mm 20.7 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -