对比图
型号 PUMD19 PUMD19,115
描述 低VCEsat晶体管（ BISS ）晶体管 Low VCEsat (BISS) transistorsTSSOP NPN+PNP 50V 100mA
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 TSSOP SOT-363-6
引脚数 - 6
极性 NPN+PNP NPN+PNP
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA
耗散功率 - 0.3 W
最小电流放大倍数(hFE) - 100 @1mA, 5V
额定功率(Max) - 300 mW
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW
封装 TSSOP SOT-363-6
高度 - 1 mm
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free