FDD5612和IPD640N06LGBTMA1

对比图

型号 FDD5612 IPD640N06LGBTMA1 NTD18N06T4G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD5612  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 60 V, 0.036 ohm, 10 V, 2.4 VINFINEON  IPD640N06LGBTMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 60 V, 0.047 ohm, 10 V, 1.6 V60V,18A,N沟道MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.036 Ω 0.047 Ω 51 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 42 W 47 W 55 W

阈值电压 2.4 V 1.6 V -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 18.0 A 18A 18.0 A

上升时间 4 ns 25 ns 23 ns

输入电容(Ciss) 660pF @30V(Vds) 470pF @30V(Vds) 710pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.6 W 47 W 55 W

下降时间 4 ns 32 ns 20 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 42 W 47W (Tc) 2.1 W

额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V

额定电流 18.0 A - 18.0 A

通道数 1 - 1

漏源击穿电压 60 V - 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

输入电容 660 pF - -

栅电荷 7.50 nC - -

长度 6.73 mm 6.5 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.39 mm 2.3 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99