C3M0120090J和C3M0120090J-TR

对比图

型号 C3M0120090J C3M0120090J-TR

描述 MOSFET N-CH 900V 22AC3M0120090J-TR 编带

数据手册 --

制造商 CREE (美国科锐) CREE (美国科锐)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 TO-263-8 TO-263-8

额定功率 83 W -

通道数 1 -

漏源极电阻 170 mΩ -

极性 N-Channel -

耗散功率 83 W 83W (Tc)

阈值电压 1.8 V -

漏源极电压(Vds) 900 V 900 V

漏源击穿电压 900 V -

上升时间 9 ns 9 ns

输入电容(Ciss) 350pF @600V(Vds) 350pF @600V(Vds)

下降时间 5 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 83W (Tc) 83W (Tc)

封装 TO-263-8 TO-263-8

材质 Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active -

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅