ZXTD09N50DE6TA和ZXTD09N50DE6TC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ZXTD09N50DE6TA ZXTD09N50DE6TC BC857CDW1T1G

描述 ZXTD09N50DE6 系列 50V 1 A 双 NPN 硅 低饱和 晶体管 -SOT-23-6TRANS 2NPN 50V 1A SOT23-6ON SEMICONDUCTOR  BC857CDW1T1G  单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -45 V, 100 MHz, 380 mW, -100 mA, 270 hFE

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 - 6

封装 SOT-23-6 SOT-23-6 SC-70-6

频率 215 MHz - 100 MHz

额定电压(DC) 50.0 V - -45.0 V

额定电流 2.00 A - -100 mA

极性 NPN NPN PNP

耗散功率 0.9 W - 380 mW

增益频宽积 215 MHz - 100 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 45 V

集电极最大允许电流 1A 1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @500mA, 2V 200 @500mA, 2V 420 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) 200 @10mA, 2V - -

额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W 380 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -50 ℃

耗散功率(Max) 1700 mW - 380 mW

针脚数 - - 6

直流电流增益(hFE) - - 270

工作结温 - - -55℃ ~ 150℃

长度 3.1 mm - 2.2 mm

宽度 1.8 mm - 1.35 mm

高度 1.3 mm - 1.1 mm

封装 SOT-23-6 SOT-23-6 SC-70-6

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2016/06/20

ECCN代码 - - EAR99

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