CY7C1302DV25-167BZC和CY7C1302DV25-167BZXC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1302DV25-167BZC CY7C1302DV25-167BZXC CY7C1302CV25-167BZC

描述 9兆位与QDR ™架构连拍两张流水线的SRAM 9-Mbit Burst of Two Pipelined SRAMs with QDR⑩ Architecture9兆位与QDR ™架构连拍两张流水线的SRAM 9-Mbit Burst of Two Pipelined SRAMs with QDR⑩ Architecture9兆位与QDR ™架构连拍两张流水线的SRAM 9-Mbit Burst of Two Pipelined SRAMs with QDR⑩ Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 FBGA-165 FBGA-165 BGA

引脚数 165 165 -

封装 FBGA-165 FBGA-165 BGA

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray -

香港进出口证 NLR - NLR

ECCN代码 - 3A991.b.2.a -

供电电流 500 mA - -

时钟频率 167 MHz 167 MHz -

位数 18 18 -

存取时间 2.5 ns 2.5 ns -

存取时间(Max) 2.5 ns 2.5 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

电源电压 2.4V ~ 2.6V 2.4V ~ 2.6V -

电源电压(Max) - 2.6 V -

电源电压(Min) - 2.4 V -

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead 无铅 -

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