对比图
型号 FDD850N10L FDD850N10LD IPD78CN10N G
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD850N10LD, 15.3 A, Vds=100 V, 5引脚 DPAK (TO-252)封装Infineon OptiMOS™2 功率 MOSFET 系列Infineon** OptiMOS™2** N 通道系列提供行业最低电压接地电阻。 功率 MOSFET 系列可用于很多应用，包括高频电信、数据通信、太阳能、低电压驱动器和服务器电源。 **OptiMOS 2** 产品系列具有 20V 及以上范围，且提供不同的封装类型可供选择。 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 5 3
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
上升时间 - 21 ns 4 ns
输入电容(Ciss) 1465pF @25V(Vds) 1100pF @25V(Vds) 538pF @50V(Vds)
下降时间 - 8 ns 3 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 50W (Tc) 42 W 31 W
极性 N-CH - N-Channel
耗散功率 50 W - 31 W
漏源极电压(Vds) 100 V - 100 V
额定功率(Max) 50 W - 31 W
连续漏极电流(Ids) 15.7A - -
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.39 mm 2.41 mm
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃