对比图
描述 NPN硅偏置电阻晶体管 NPN SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR数字晶体管（ BRT ） R1 = 22千欧， R2 = 47 K· Digital Transistors (BRT) R1 = 22 k, R2 = 47 k
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
封装 SC-59 SOT-23-3
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3
封装 SC-59 SOT-23-3
长度 - 2.9 mm
宽度 - 1.5 mm
高度 - 1.09 mm
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tape Tape & Reel (TR)
额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V
额定电流 100 mA 100 mA
极性 NPN NPN
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V
集电极最大允许电流 100mA 100mA
无卤素状态 - Halogen Free
耗散功率 - 0.338 W
最小电流放大倍数(hFE) - 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) - 80
额定功率(Max) - 338 mW
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 338 mW
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99
工作温度 - -55℃ ~ 150℃