JANS2N3867和JANTX2N3867S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANS2N3867 JANTX2N3867S JANTXV2N3867S

描述 PNP硅低功率晶体管 PNP SILICON LOW POWER TRANSISTOR硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors硅PNP功率晶体管 Silicon PNP Power Transistors

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-5 TO-205 TO-205

引脚数 3 3 -

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @1.5A, 2V 40 @1.5A, 2V 40 @1.5A, 2V

额定功率(Max) 1 W 1 W 1 W

耗散功率 1 W - -

工作温度(Max) 200 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

耗散功率(Max) 1000 mW - -

封装 TO-5 TO-205 TO-205

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Bag Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台