对比图
型号 HUFA76409D3ST IPD640N06LGBTMA1 IRFR024NPBF
描述 UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。INFINEON IPD640N06LGBTMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 60 V, 0.047 ohm, 10 V, 1.6 VINFINEON IRFR024NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 55 V, 0.075 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 60.0 V - -
额定电流 17.0 A - -
漏源极电阻 52.0 mΩ 0.047 Ω 0.075 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 49 W 47 W 38 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V
漏源击穿电压 30.0 V - 55 V
栅源击穿电压 ±16.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 17.0 A 18A 17A
上升时间 34 ns 25 ns 34 ns
输入电容(Ciss) 485pF @25V(Vds) 470pF @30V(Vds) 370pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 49 W 47 W 45 W
下降时间 50 ns 32 ns 27 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 49W (Tc) 47W (Tc) 45W (Tc)
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 1.6 V 4 V
额定功率 - - 38 W
通道数 - - 1
输入电容 - - 370pF @25V
长度 6.73 mm 6.5 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.3 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -