对比图
型号 FQU4N20TU IRFU210PBF IRFU222
描述 Trans MOSFET N-CH 200V 3A 3Pin(3+Tab) IPAK RailTrans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3Pin(3+Tab) IPAKN沟道 200V 3.8A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix Harris
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole -
封装 TO-251-3 TO-251-3 I-PAK
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 3.00 A - -
漏源极电阻 1.40 Ω - -
极性 N-Channel - -
耗散功率 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -
漏源击穿电压 200 V - -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 3.00 A - -
输入电容(Ciss) 220pF @25V(Vds) 140pF @25V(Vds) -
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) -
额定功率(Max) - 2.5 W -
封装 TO-251-3 TO-251-3 I-PAK
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Unknown Active Obsolete
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free