FDI030N06和FDI040N06

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDI030N06 FDI040N06

描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N沟道MOSFET的PowerTrench 60V , 168A , 4.0mW时 N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 168A, 4.0mW

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-262-3 TO-262-3

极性 N-CH N-CH

耗散功率 231 W 231W (Tc)

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 193A 168A

上升时间 178 ns -

输入电容(Ciss) 9815pF @25V(Vds) 8235pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 231 W 231 W

下降时间 33 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 231W (Tc) 231W (Tc)

长度 10.29 mm -

宽度 9.65 mm -

高度 4.83 mm -

封装 TO-262-3 TO-262-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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