FJAF6810D和FJAF6810TU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJAF6810D FJAF6810TU FJAF6810ATU

描述 NPN型三重扩散平面硅晶体管 NPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorTrans GP BJT NPN 750V 10A 3Pin(3+Tab) TO-3pF RailTrans GP BJT NPN 750V 10A 3Pin(3+Tab) TO-3pF Rail

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-3 TO-3 TO-3

额定电压(DC) - 750 V 750 V

额定电流 - 10.0 A 10.0 A

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 750 V 750 V 750 V

集电极最大允许电流 10A 10A 10A

最小电流放大倍数(hFE) 7 @1A, 5V|5 @6A, 5V 5 @6A, 5V 5 @6A, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 8 -

额定功率(Max) - 60 W 60 W

耗散功率 - - 60 W

耗散功率(Max) - - 60 W

封装 TO-3 TO-3 TO-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube, Rail Tube Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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