对比图
型号 IR2101S IR2101STRPBF IR2101SPBF
描述 600V High and Low Side Driver IC with typical 0.21A source and 0.36A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP.INFINEON IR2101STRPBF 芯片, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, SOIC-8INFINEON IR2101SPBF 芯片, MOSFET驱动器 高边&低边
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
电源电压(DC) 20.0V (max) 10.0V (min) 10.0V (min)
上升/下降时间 100ns, 50ns 100ns, 50ns 100ns, 50ns
输出接口数 2 2 2
输出电压 ≤20.0 V 10V ~ 20V -
产品系列 IR2101 - -
电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V
工作电压 - 10V ~ 20V 10V ~ 20V
输出电流 - 210 mA 210 mA
通道数 - 2 2
针脚数 - 8 8
耗散功率 - 0.625 W 625 mW
静态电流 - 270 µA 270 µA
上升时间 - 170 ns 170 ns
下降时间 - 90 ns 90 ns
下降时间(Max) - 90 ns 90 ns
上升时间(Max) - 170 ns 170 ns
工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) - 625 mW 625 mW
电源电压(Max) - 20 V 20 V
电源电压(Min) - 10 V 10 V
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 - 1.5 mm 1.5 mm
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2018/06/27
ECCN代码 - EAR99 EAR99