BUZ74和IRF821

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUZ74 IRF821 IRF820PBF

描述 SIPMOS大功率晶体管(N沟道增强型雪崩额定) SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)Power Field Effect TransistorPower Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Motorola (摩托罗拉) Vishay Intertechnology

分类

基础参数对比

封装 TO-220 - TO-220

安装方式 Through Hole - -

封装 TO-220 - TO-220

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

RoHS标准 - - RoHS Compliant

极性 N-CH - -

漏源极电压(Vds) 500 V - -

连续漏极电流(Ids) 2.4A - -

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