IRFB4310ZPBF和STP120NF10

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFB4310ZPBF STP120NF10 IRFZ14PBF

描述 N沟道,100V,127A,6mΩ@10VSTMICROELECTRONICS  STP120NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 V功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

漏源极电阻 6 mΩ 0.009 Ω 0.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 250 W 312 W 43 W

产品系列 IRFB4310Z - -

输入电容 6860pF @50V - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 60 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 140 A 110 A 10.0 A

输入电容(Ciss) 6860pF @50V(Vds) 5200pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 250 W 312 W 43 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) - 100 V 60.0 V

额定电流 - 120 A 10.0 A

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 4 V 2 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

上升时间 - 90 ns 50 ns

下降时间 - 68 ns 19 ns

耗散功率(Max) - 312000 mW 43 W

长度 10.67 mm 10.4 mm 10.41 mm

高度 9.02 mm 9.15 mm 9.01 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

宽度 - 4.6 mm 4.7 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

最小包装 - - 50

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -

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