对比图
型号 STP23NM50N STW23NM50N FDP20N50
描述 N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STW23NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.162 ohm, 10 V, 3 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP20N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 500 V, 230 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
漏源极电阻 0.162 Ω 0.162 Ω 230 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 125 W 250 W
阈值电压 3 V 3 V 5 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
上升时间 19 ns 19 ns 375 ns
输入电容(Ciss) 1330pF @50V(Vds) 1330pF @50V(Vds) 3120pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 125 W 125 W 250 W
下降时间 29 ns 29 ns 105 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc) 250W (Tc)
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
漏源击穿电压 - 500 V 500 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) - - 20.0 A
长度 10.4 mm 15.75 mm 10.1 mm
宽度 4.6 mm 5.15 mm 4.7 mm
高度 15.75 mm 20.15 mm 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-220-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99